EtronTech
特点
•
单3.3
±
0.3V电源
•
快速时钟速率
-
PC133 ： 133兆赫（ CL3 ）
-
PC100 ： 100兆赫（ CL2 ）
•
完全同步操作参考时钟
上升沿
•
由BA0 ， BA1 4银行操作控制（银行
地址）
•
可编程模式寄存器
- / CAS延迟： 2或3
- 突发长度：1， 2 ，4，8或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
•
字节控制 - DQML和DQMU
•
随机接入列
•
自动预充电/所有银行预充电控制
通过A10
•
自动和自刷新
•
自刷新模式：标准和低功耗
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
接口： LVTTL
•
54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
EM639165
8Mega X 16位SDRAM
初步（ 1.0版， 2/2001 ）
引脚配置（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
DQML
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
BA0
BA1
A10(AP)
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
DQMU
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
订购信息
产品型号
速度
GRADE
PC133/CL3
PC133/CL3
PC100/CL2
PC100/CL2
自刷新
电流（最大值）。
2毫安
800
µA
2毫安
800
µA
关键的特定连接的阳离子
EM639165
-
75/8
10/10 NS
7.5 / 8纳秒
6/6 NS
5.4 / 6纳秒
45/48 NS
67.5 / 70纳秒
EM639165TS-75
EM639165TS-75L
EM639165TS-8
EM639165TS-8L
t
CK2
t
CK3
t
AC2
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期的时间（分钟，CL = 2）
时钟周期的时间（分钟，CL = 3）
访问时间（最大，CL = 2）
访问时间（最大，CL = 3）
行有效时间（最大）
行周期时间（min 。 ）
概观
EM639165是一种高速同步动态
随机存取存储器（SDRAM ） ，组织成4
银行X 2,097,152字×16位。所有的输入和
输出被引用到CLK的上升沿。
它实现了非常高速的数据传输率高达
133MHz的，并适用于主存储器或图形
记忆中的计算机系统。对于手持设备
应用程序，我们还提供了一个低功耗选项，用
在800自刷新电流
µA.
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