EtronTech
特点
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从时钟的快速存取时间： 5 / 5.4纳秒
快速时钟速率：一百四十三分之一百六十六兆赫
完全同步操作
内部流水线结构
2M字×16位×4银行
可编程模式寄存器
- CAS ＃延迟： 2或3
- 突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8 ，或整页
- 突发类型：交错式或线性爆裂
- 突发停止功能
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
CKE断电模式
+ 3.3V单电源供电
接口： LVTTL
54引脚400密耳的塑料TSOP II封装
无铅封装可用
EM639165
（修订版1.6 ， 02/2007 ）
8Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的
引脚配置（顶视图）
V DD
DQ0
V·D DQ
DQ1
DQ2
νs的SQ
DQ3
DQ4
V·D DQ
DQ5
DQ6
νs的SQ
DQ7
V DD
DQM L
/ W ê
/ CA中
/ RA S
/ CS
BA0
BA1
A 1 0（ P）
A0
A1
A2
A3
V DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V SS
DQ1 5
νs的SQ
DQ1 4
DQ1 3
V·D DQ
DQ1 2
DQ1 1
νs的SQ
DQ1 0
DQ9
V·D DQ
DQ8
V SS
NC
DQM ü
CL ķ
CK ê
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V SS
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概观
该EM639165 SDRAM是高速CMOS
同步DRAM包含128兆位。这是内部
配置为4银行2M字×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
时钟信号CLK ）的上升沿。读取和写入
访问到SDRAM是迸发导向;访问
开始在一个选定的位置，并持续一段
在编程的位置设定的号码
序列。访问开始时的注册
BankActivate命令，然后接着是
读或写命令。
该EM639165提供了可编程只读
或写入的1，2， 4，8，或整页突发的长度，用
突发终止选项。可自动预充电功能
被使能，以提供一个自定时行预充电是
在脉冲串序列的末尾开始。刷新
功能，自动或自刷新易于使用。
通过具有可编程的模式寄存器，所述
系统可以选择最合适的模式，以
最大限度地发挥其性能。这些器件非常适合
对于需要高内存带宽的应用和
特别适合于高性能的个人计算机
应用程序。
关键的特定连接的阳离子
EM639165
-
6/7
6/7 NS
5 / 5.4纳秒
42/42 NS
60/63 NS
t
CK3
t
AC3
t
RAS
t
RC
时钟周期时间（min 。 ）
存取时间从CLK （最大）
行活动时间（分钟）
行周期时间（min 。 ）
订购信息
产品型号
EM639165TS-6G
EM639165TS-6LG
EM639165TS-7G
EM639165TS-7LG
“L ”表示低功耗。
“G ”表示无铅
频率封装
166MHz
166MHz
143MHz
143MHz
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
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