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钰创机密
EM658160
（修订版1.1月/ 2002）
4M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的
特点
快速时钟速率： 285分之300 / 250 / 166分之200 / 143 / 125MHz的
差分时钟CK & / CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行， 1M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- / CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
预充电&主动断电
•
电源： V
DD
= 3.3V
±
0.3V
V
DDQ
= 2.5V
±
0.2V
•
接口： SSTL_2 I / O接口
•
包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
•
•
•
•
•
•
•
•
引脚配置（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BS0
BS1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/ CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
订购信息
产品型号
EM658160TS-3.3
EM658160TS-3.5
EM658160TS-4
EM658160TS-5
EM658160TS-6
EM658160TS-7
EM658160TS-8
频率
300MHz
285MHz
250MHz
200MHz
166MHz
143MHz
125MHz
包
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
概观
该EM658160 SDRAM是高速CMOS
包含64双数据速率同步DRAM
兆比特。它在内部配置为四1M ×16
DRAM与同步接口（所有的信号都
登记在时钟信号CK）的正边缘。
数据输出出现在CK和/ CK的两个上升沿。
读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。访问开始时的
一个BankActivate命令其随后的登记
其次是读或写命令。该EM658160
提供可编程的读或写的2突发长度，
4 ， 8 ，整版。
自动预充电功能可被使能，以
提供一个自定时行预充电在被启动，它将
突发序列结束。刷新功能，无论是
自动或自刷新易于使用。此外，
EM658160具有可编程的DLL选项。通过
具有可编程的模式寄存器和扩展
模式寄存器，系统可以选择最适合的
模式，以最大限度地发挥其性能。这些设备是
非常适合需要高内存的应用
带宽，导致器件特别适合于
高性能的主存储器和图形
应用程序。
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