EtronTech
T0
CLK
T1
T2
COM米，
NOP
写一个
写B
1间隔的Clk
DQ 'S
DIN A0
DIN B0
4M ×32 HH LPSDRAM
T3
T4
T5
T6
EM66932A
T7
T8
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN B1
DIN B2
DIN B3
写由一写中断（脉冲串长度= 4 ，CAS＃延迟= 1，2， 3）
读命令的中断写突发不带自动预充电功能应该是
后，其中的最后的数据中元素被登记在时钟边沿发出一个周期。以免
数据争用，输入数据必须从的DQ中的至少一个时钟周期之前，首先除去
读出的数据出现在输出端（参见下图） 。一旦读命令是
注册时，数据输入将被忽略，并且写操作不被执行。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
命令
NOP
写一个
阅读B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DIN A0
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DIN A0
不关心
不关心
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
输入数据的写入被屏蔽。
输入数据必须从DQ的至少一个时钟被删除
循环读取数据之前出现在输出端，以避免
数据争用。
写了一个读取中断（突发长度= 4 ， CAS＃延迟= 2 ， 3 ）
该BankPrecharge / PrechargeAll命令中断写突发而不汽车
应发出预充电功能
m
在时钟沿之后的周期中的最后一个数据项元素
被登记，其中
m
等于吨
WR
/t
CK
向上舍入到下一个整数。此外， DQM
信号必须使用的最后的数据在下面的掩蔽输入数据，从时钟边沿
元件和与该时钟边沿在其上BankPrecharge / PrechargeAll命令是结束
输入（参见下图） 。
T0
CLK
T1
T2
T3
T4
T5
T6
DQM
激进党
COMM和
写
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
地址
BA NK
COL ñ
二正
n
DIN
n+1
BANK （S ）
tWR的
ROW
DQ
：无所谓
注意：
该DQMs可以保持低在本例中，如果的写入脉冲串的长度是1或2 。
写入预充电
初步
10
修订版0.1
2003年6月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
