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钰创机密
EM68916DVAA
高级（ 1.0版四月/ 2009）
表1.订购信息
产品型号
EM68916DVAA-6H
EM68916DVAA-75H
时钟
频率
166MHz
133MHz
数据速率
IDD6套餐
8M ×16的移动DDR同步DRAM （ SDRAM ）
特点
快速时钟速率： 133分之166兆赫
差分时钟CK &
CK
双向DQS
四个内部银行， 2M ×16位的每家银行
边沿对齐的读数据，集中在写
数据
•
可编程的模式和扩展模式寄存器
-
CAS
延迟：2或3
- 突发长度： 2 ， 4或8
- 突发类型：顺序&交错
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自
刷新）
- DS （驱动力）
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
预充电待机电流= 100
µA
•
自刷新电流= 200
µA
•
深度掉电电流= 10
µA
最大。在85
℃
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
没有的DLL （延迟锁定环） ，以减少功率; CK到
DQS是不同步的。
•
电源： V
DD
＆放大器; V
DDQ
= +1.8V+0.15V/-0.1V
•
接口： LVCMOS
•
环境温度T
A
= -25 ~ 85
℃
,
•
60球采用8mm x 10毫米VFBGA封装
- 无铅和无卤素
•
•
•
•
•
333Mbps / 200引脚
µA
VFBGA
266Mbps / 200引脚
µA
VFBGA
VA ：表示VFBGA封装
答：指代码
H：表示Pb和卤素的VFBGA封装
图1.球分配（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
VSS
2
DQ15
3
VSSQ
…
7
VDDQ
8
DQ0
9
VDD
VDDQ
DQ13
DQ14
DQ1
DQ2
VSSQ
VSSQ
DQ11
DQ12
DQ3
DQ4
VDDQ
VDDQ
DQ9
DQ10
DQ5
DQ6
VSSQ
VSSQ
UDQS
DQ8
DQ7
LDQS
VDDQ
VSS
UDM
NC
NC
LDM
VDD
CKE
CK
CK
WE
CAS
RAS
A9
A11
NC
CS
BA0
BA1
A6
A7
A8
A10/AP
A0
A1
VSS
A4
A5
A2
A3
VDD
概观
该EM68916D是134217728位双数据
速率同步DRAM被划分为4银行
2,097,152字×16位。同步
操作与数据选通允许非常高
性能。 EM68916D被施加以减少
同时实现非常泄漏电流刷新
高速。 I / O事务是可能的两个
在时钟的边缘。经营的范围
频率，可编程的突发长度和
可编程延迟允许该设备是
适用于各种高性能内存有用
系统的应用程序。
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