EtronTech
钰创机密
特点
快速时钟速率： 133分之166兆赫
差分时钟CK &
CK
双向DQS
四个内部银行， 1M ×32位的每家银行
边沿对齐的读数据，集中在写入数据
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 2或3
- 突发长度： 2 ， 4或8
- 突发类型：顺序&交错
- PASR （部分阵列自刷新）
- 自动TCSR （温度补偿自
刷新）
- DS （驱动力）
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
预充电待机电流= 100
µA
•
自刷新电流= 200
µA
•
深度掉电电流= 10
µA
最大。在85
℃
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
没有的DLL （延迟锁定环） ，以减少功率; CK到
DQS是不同步的。
•
电源： V
DD
＆放大器; V
DDQ
= +1.8V+0.15V/-0.1V
•
接口： LVCMOS
•
环境温度T
A
= -25 ~ 85
℃
,
•
90球采用8mm x 13毫米VFBGA封装
- 铅和卤素
•
•
•
•
•
•
产品型号
EM68932DVKB-6H
EM68932DVKB-75H
EM68932DVKB
高级（ 1.0版八月/ 2009）
表1.订购信息
时钟频率
166MHz
133MHz
IDD6套餐
200
µA
VFBGA
200
µA
VFBGA
4M ×32的移动DDR同步DRAM （SDRAM）的
VK ：表示VFBGA封装
B：表示生成代码
H：表示Pb和卤素的VFBGA封装
图1.球分配（顶视图）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
VSS
VDDQ
.
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CKE
A9
A6
A4
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
2
DQ31
DQ29
DQ27
DQ25
DQS3
DM3
CK
A11
A7
DM1
DQS1
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
3
VSSQ
DQ30
DQ28
DQ26
DQ24
NC
CK
NC
A8
A5
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSSQ
…
7
VDDQ
DQ17
.
DQ19
DQ21
DQ23
NC
WE
CS
A10/AP
A2
DQ7
DQ5
DQ3
DQ1
VDDQ
8
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
DQS2
DM2
CAS
BA0
A0
DM0
DQS0
DQ6
DQ4
DQ2
DQ0
9
VDD
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
RAS
BA1
A1
A3
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
概观
该EM68932D是134217728位双数据
速率同步DRAM被划分为4银行
1,048,576字由32位。同步
操作与数据选通允许非常高
性能。 EM68932D被施加以减少
同时实现非常泄漏电流刷新
高速。 I / O事务是可能的两个
在时钟的边缘。经营的范围
频率，可编程的突发长度和
可编程延迟允许该设备是
适用于各种高性能内存有用
系统的应用程序。
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