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EM6A8160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A8160TSA-5G图片预览
型号: EM6A8160TSA-5G
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内容描述: 4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 407 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
钰创机密
特点
快速时钟速率: 200MHz的
差分时钟CK &
CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行, 1M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟: 3
- 突发长度: 2 , 4 , 8
- 突发类型:顺序&交错
单个字节写入屏蔽控制
DM写入延迟= 0
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
预充电&主动断电
电源: VDD & VDDQ = 2.5V
±
5%
接口: SSTL_2 I / O接口
包装: 66引脚TSOP II , 0.65毫米引脚间距
- 无铅和无卤素
EM6A8160TSA
4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
高级(修订版1.2四月/ 2009)
表1.Ordering信息
时钟
数据速率套餐
频率
EM6A8160TSA - 5G的200MHz的400Mbps /引脚TSOPII
产品型号
TS :表示TSOP II封装
答:指代码
G:表示Pb和卤素的TSOPII封装
图1.引脚分配(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM6A8160 SDRAM是高速CMOS双
数据传输速率包含64兆比特的同步DRAM 。这是
在内部配置为四1M ×16的DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
在时钟信号的上升沿, CK) 。数据输出出现在
CK的两个上升沿和
CK
。读取和写入访问
到SDRAM是迸发导向;存取开始在
选定位置,并继续为编程数
地点在编程序列。访问开始
一个BankActivate命令的登记中,然后
其次是读或写命令。该EM6A8160
提供可编程的读或写的2,4突发长度
8.一种自动预充电功能可被使能,以提供一个
自定时行预充电时的端部开始该
爆序列。刷新功能,自动或自
刷新易于使用。此外, EM6A8160设有
可编程DLL选项。通过具有可编程
模式寄存器和扩展模式寄存器中,该系统可以
选择最合适的模式,以最大限度地发挥其
性能。这些装置非常适用于应用
需要高内存带宽和高性能。
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