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EM6A8160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6A8160TSA-5G
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内容描述: 4M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [4M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 407 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表6.寻址模式
A3
0
1
EM6A8160TSA
寻址模式选择场( A3 )
寻址模式可以是两种模式,无论是交错模式或连续模式。同时完成顺序
模式和交织模式的支持脉冲的2,4 ,和8的长度。
寻址模式
顺序
交错
突发定义,连续和交错模式寻址过程
表7 :猝发地址排序
BURST
2
起始地址
A2
A1
A0
X
X
0
X
X
1
X
0
0
X
0
1
X
1
0
X
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
顺序
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 2, 3, 0
2, 3, 0, 1
3, 0, 1, 2
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0
2, 3, 4, 5, 6, 7, 0, 1
3, 4, 5, 6, 7, 0, 1, 2
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 6, 7, 0, 1, 2, 3, 4
6, 7, 0, 1, 2, 3, 4, 5
7, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
交错
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 0, 3, 2
2, 3, 0, 1
3, 2, 1, 0
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7, 6
2, 3, 0, 1, 6, 7, 4, 5
3, 2, 1, 0, 7, 6, 5, 4
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 4, 7, 6, 1, 0, 3, 2
6, 7, 4, 5, 2, 3, 0, 1
7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 0
4
8
CAS
潜伏期场( A6 〜 A4)
此字段指定的时钟周期从读命令到所述第一读出的数据的断言的数量。
最小全价值
CAS
延迟取决于CK的频率。最小的整体价值
满足下式,必须被编程到该字段中。
t
CAC
(分钟)
CAS延迟x深
CK
表8. CAS延迟
A6
0
0
0
0
1
1
1
1
A5
0
0
1
1
0
0
1
1
A4
0
1
0
1
0
1
0
1
CAS延迟
版权所有
版权所有
版权所有
3个时钟
版权所有
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钰创机密
7
修订版1.2
2009年4月