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EM6A9160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TS-4G图片预览
型号: EM6A9160TS-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 29 页 / 275 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
特点
快速时钟速率: 275分之300 / 250 / 200MHz的
差分时钟CK & / CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行, 1M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- / CAS延迟: 3,4
- 突发长度: 2 , 4 , 8
- 突发类型:顺序&交错
单个字节写入屏蔽控制
DM写入延迟= 0
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 32ms的
预充电&主动断电
电源: V
DD &
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
接口: SSTL_2 I / O接口
包装: 66引脚TSOP II , 0.65毫米引脚间距
无铅封装。
EM6A9160
(修订版1.4月/ 2006)
8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的
引脚配置(顶视图)
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
/ WE
/ CAS
/ RAS
/ CS
NC
BS0
BS1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
/ CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
订购信息
产品型号
EM6A9160TS-3.3/3.3G*
EM6A9160TS-3.6/3.6G
EM6A9160TS-4/4G
EM6A9160TS-5/5G
时钟频率
300MHz
275MHz
250MHz
200MHz
数据速率
600Mbps/pin
550Mbps/pin
500Mbps/pin
400Mbps/pin
TSOP II
TSOP II
TSOP II
TSOP II
注: “G ”表示无铅封装
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