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EM6A9160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TS-4G图片预览
型号: EM6A9160TS-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 29 页 / 275 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
模式寄存器设置( MRS)
8Mx16 DDR SDRAM
EM6A9160
模式寄存器分为取决于功能性的各种领域。
突发长度字段( A2 〜 A0 )
此字段指定的列存取使用A2 〜 A0引脚的数据长度,并且选择
脉冲串长度为2 ,4,8 。
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
版权所有
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
寻址模式选择场( A3 )
寻址模式可以是两种模式,两种交错模式或连续模式。
这两种顺序模式和2,4和8交错模式支持的突发长度。
A3
0
1
寻址模式
顺序
交错
---寻址的连续序列模式
内部列地址由来自列增加的地址进行
地址被输入到设备中。内部列地址由突发变化
如示于下表中的长度。
数据N
列地址
0
n
1
n+1
2
n+2
3
n+3
4
n+4
5
n+5
6
n+6
7
n+7
2个字
突发长度
4个字
8个字
全页(即使起始地址)
---的交错模式寻址过程
列访问开始于输入列地址和被反相的执行
地址位的下表中所示的序列中。
数据N
数据0
数据1
数据2
数据3
数据4
资料5
数据6
数据7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A7
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A6
A5
A5
A5
A5
A5
A5
A5
A5
列地址
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A4
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A3
A2
A2
A2
A2
A1
A1
A0
A0#
4个字
8个字
突发长度
A1# A0
A1# A0#
A0
A0#
A2# A1
A2# A1
A2# A1# A0
A2# A1# A0#
7
修订版1.4
2006年5月