EtronTech
钰创机密
EM6A9160TSA
8M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的
高级（修订版1.1八月/ 2009）
特点
快速时钟速率： 250MHz的
差分时钟CK &
CK
输入
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行， 2M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 64ms的
•
预充电&主动断电
•
电源： V
DD &
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
•
接口： SSTL_2 I / O接口
•
包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
- 铅和卤素
•
•
•
•
•
•
•
•
表1.Ordering信息
时钟
数据速率套餐
频率
EM6A9160TSA - 4G的250MHz 500Mbps的/引脚TSOPII
产品型号
TS ：表示TSOP II封装
答：指代码
G：表示Pb和卤素的TSOPII封装
图1.引脚分配（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM6A9160 SDRAM是高速CMOS
包含128双数据速率同步DRAM
兆比特。它在内部配置为四通道2M ×16
DRAM与同步接口（所有的信号都
登记在时钟信号CK）的正边缘。
数据输出出现在CK的两个上升沿
和
CK
.Read和写访问的SDRAM是
爆导向;存取开始在选定的位置
并继续位置在设定的号码
编程序列。访问开始时的
一个BankActivate命令其随后的登记
其次是读或写命令。该EM6A9160
提供了可编程的读或写突发长度
2，4，或8，一种自动预充电功能可被使能
以提供一个自定时行预充电，在被启动，它将
色同步信号序列的末端。刷新功能，
无论是自动或自刷新易于使用。此外，
EM6A9160具有可编程的DLL选项。通过
具有可编程的模式寄存器和扩展
模式寄存器，系统可以最选择
合适的模式，以最大限度地发挥其性能。这些
器件非常适合于要求高的应用
存储器带宽和高性能。
钰创科技有限公司
6号，科技路。五，新竹科学园区，台湾新竹30078 ， ROC
电话： （ 886 ） -3-5782345
传真： （ 886 ） -3-5778671
钰创科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
