EtronTech
钰创机密
特点
•
快速的时钟频率： 200/250 MHz的
•
差分时钟CK &
CK
输入
•
4双向DQS 。两个数据处理
DQS的边缘（ 1DQS /字节）
•
DLL对齐DQ和DQS转换
•
边沿对齐的数据& DQS输出
•
中心对齐数据& DQS输入
•
4内部银行， 1M ×32位的每家银行
•
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
•
除了DQ的& DM的所有输入为正
在系统时钟的边沿
•
4个人DM的控制只写屏蔽
•
自动刷新和自刷新
•
4096刷新周期/ 32ms的
•
电源： V
DD &
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
•
接口： SSTL_2 I / O兼容
•
包装： 144球LFBGA
-Pb自由和无卤素
EM6A9320BIA
初步（修订版1.7十一月/ 2009）
概观
该EM6A9320 DDR SDRAM是高速
CMOS双数据速率同步DRAM
包含128兆位。它是在内部配置为
四1M ×32的DRAM与同步接口（全
信号上注册的上升沿
时钟信号， CK） 。数据输出发生在上升沿
CK的边和
CK
。读取和写入访问到
SDRAM是迸发导向;存取开始在
选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。
访问开始时的注册
BankActivate命令，其然后随后是
读或写命令。
该EM6A9320提供可编程只读或
写的2，4， 8，一种自动预充电脉冲串长度
功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电在脉冲串的末端被启动，它将
sequence.The刷新功能，自动或自
刷新易于使用。
此外， EM6A9320具有可编程
DLL选项。通过具有可编程的模式寄存器
和扩展模式寄存器，系统可以选择
最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。
这些装置非常适用于应用
要求高存储器带宽，导致设备
特别适合于高性能的主
存储器和图形应用。
4M ×32位DDR同步DRAM （SDRAM）的
表1 。订购信息
产品型号
时钟频率
数据速率
EM6A9320BIA-4H
250MHz
500Mbps/pin
EM6A9320BIA-5H
200MHz
400Mbps/pin
BI ：表示LFBGA封装
答：指代码
H：表示无铅和无卤素的LFBGA Packag
电源
V
DD
2.5V, V
DDQ
2.5V
V
DD
2.5V, V
DDQ
2.5V
包
LFBGA
LFBGA
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