EtronTech
特点
•
快速时钟速率: 300/275/250/200/166 MHz的
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差分时钟CK & CK #输入
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4双向DQS 。两个数据处理
DQS的边缘( 1DQS /字节)
•
DLL对齐DQ和DQS转换
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边沿对齐的数据& DQS输出
•
中心对齐数据& DQS输入
•
4银行操作
•
可编程的模式和扩展模式
注册
- CAS #延迟: 3,4
- 突发长度: 2 , 4 , 8
- 突发类型:顺序&交错
•
整页突发长度为连续型只
•
全页突发起始地址应该是偶数
•
除了DQ的& DM的所有输入为正
在系统时钟的边沿
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不写打断阅读功能
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4个人DM的控制只写屏蔽
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自动刷新和自刷新
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4096刷新周期/ 32ms的
•
电源:
V
DD
= 2.5V
±
5%
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
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接口: SSTL_2 I / O兼容
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标准的144球FBGA封装
•
无铅封装可用
EM6AA320-XXMS
8M ×32 DDR SDRAM
(启0.7月/ 2006)
概观
该EM6AA320 DDR SDRAM是高速CMOS
包含256双数据速率同步DRAM
兆比特。它在内部配置为四2M ×32
DRAM与同步接口(所有的信号都
登记在时钟信号CK)的正边缘。
数据输出出现在CK和CK #的两个上升沿。
读取和写入访问到SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置和
持续的地点在一个设定的号码
编程序列。
访问开始用BankActivate的注册
命令,然后接着读或写
命令。
该EM6AA320提供可编程的读或写
第2,第4 , 8,一种自动预充电功能的脉冲串的长度可以
被使能,以提供一个自定时行预充电是
在脉冲串序列的末尾开始。
刷新功能,自动或自刷新都
易于使用。
此外, EM6AA320具有可编程的DLL
选项。通过具有可编程的模式寄存器和
扩展模式寄存器中,该系统可以选择
最适合的模式,以最大限度地发挥其性能。
这些器件非常适合需要的应用
高内存带宽,导致设备特别
非常适合于高性能的主存储器和
图形应用程序。
订购信息
产品型号
(*)
EM6AA320BI-3.3MS
(*)
EM6AA320BI-3.6MS
(*)
EM6AA320BI-4MS/4MSG
(*)
EM6AA320BI-5MS/5MSG
(*)
EM6AA320BI-6MS/6MSG
注( * ) : S表示堆叠芯片封装
G表示无铅封装
频率
300MHz
275MHz
250MHz
200MHz
166MHz
电源
V
DD
2.5V
V
DDQ
2.5V
包
FBGA
FBGA
FBGA
FBGA
FBGA