EtronTech
8Mx32 DDR SDRAM
EM6AA320-XXMS
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动
强度。扩展模式寄存器的缺省值是未定义的，因此必须被写入功率后
了正常运行。扩展模式寄存器写的是主张低CS ＃ ， RAS ＃ ， CAS ＃和
WE＃ 。 A0的状态， A2 〜 A5 ， A7 〜 A11and BA1被写入模式寄存器在同一周期为CS ＃ ，
RAS ＃ ， CAS ＃和WE＃变低。在DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经很高了
先于写入到扩展模式寄存器。 A1和A6用于驱动强度设置为正常，弱
或匹配阻抗。两个时钟周期需要完成在扩展模式下的写操作
注册。模式寄存器中的内容可以使用相同的命令和时钟周期的要求而改变
操作过程中，只要所有银行都处于空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0
用于EMRS 。请参阅下表为具体的代码。
扩展模式电阻位图
BA1
0
BA0
1
A11
A10
A9
A8
RFU必须设置为“0”的
A7
A6
DS1
A5
A4
A3
A2
RFU必须设置为“0”的
A1
DS0
A0
DLL
BA0模式
0
太太
1 EMRS
A6
0
0
1
1
A1
驱动强度
实力
评论
0
满
100%
1
SSTL - 2弱
60%
0
俄罗斯足协
俄罗斯足协不要使用
1匹配阻抗30 ％
输出驱动器阻抗相匹配
A0
DLL
0
启用
1禁用
上电顺序
电时，必须按以下顺序进行。
1 ）接通电源V
DD
之前或同时为V
DDQ ，
V
TT
和V
REF
当所有的输入信号被保持
"NOP"状态，维持CKE “低” 。
2）启动时钟和保持稳定的条件，最低为200us 。
3 ）发出“ NOP ”指令，并保持CKE “高”
4 ）发出“全部预充电”命令。
5 ）发行EMRS - 使DLL 。
6 ）发行MRS - 复位DLL 。 （增加200个时钟周期需要锁定DLL） 。
7 ）预充电设备的所有银行。
8 ）发出两个或多个自动刷新命令。
9 ）发行MRS - 与A8低初始化模式寄存器。
7
REV 0.7
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
