EtronTech
钰创机密
EM6AA160TS
（修订版0.7 7月/ 2008年）
16M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ）
特点
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快速的时钟频率： 250 / 200MHz的
差分时钟CK &
CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行4M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
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单个字节写入屏蔽控制
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DM写入延迟= 0
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自动刷新和自刷新
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8192刷新周期/ 64ms的
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预充电&主动断电
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电源：
VDD = 2.5V
±
5%
VDDQ = 2.5V
±
5%
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接口： SSTL_2 I / O接口
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包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
-
铅和卤素
概观
该EM6AA160 SDRAM是高速CMOS
包含256双数据速率同步DRAM
兆比特。它在内部配置为四通道4M ×16
DRAM与同步接口（所有的信号都
登记在时钟信号的上升沿，则
CK ） 。数据输出出现在CK的两个上升沿
和
CK
.D读取和写入访问到SDRAM
被爆导向;存取开始以选定
位置和持续的编程号码
地点在编程序列。访问
以一个BankActivate的注册
命令，然后接着读或写
命令。该EM6AA160提供可编程
读或写的2 ，4，或8，一种汽车突发长度
预充电功能可被使能，以提供一
自定时行预充电，在结尾处启动的
的色同步信号序列。刷新功能，无论是
自动或自刷新易于使用。此外，
EM6AA160功能
可编程DLL选项。
通过具有可编程的模式寄存器和
扩展模式寄存器中，该系统可以选择
最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。
这些装置非常适用于应用
要求高存储器带宽，导致设备
特别适合于高性能的主
存储器和图形应用。
表1.订购信息
产品型号
EM6AA160TS-4G
EM6AA160TS-5G
时钟频率
250MHz
200MHz
数据速率
500Mbps/pin
400Mbps/pin
电源
V
DD
2.5V V
DDQ
2.5V
V
DD
2.5V V
DDQ
2.5V
包
TSOPII
TSOPII
TS ：表示TSOPII封装
G：表示
铅和卤素
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