EtronTech
钰创机密
特点
快速的时钟频率： 250 / 200MHz的
差分时钟CK &
CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行4M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 2.5 ， 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
•
单个字节写入屏蔽控制
•
DM写入延迟= 0
•
自动刷新和自刷新
•
8192刷新周期/ 64ms的
•
预充电&主动断电
•
电源： V
DD &
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
•
接口： SSTL_2 I / O接口
•
包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
-
无铅和无卤素
•
•
•
•
•
•
•
•
EM6AA160TSA
初步（修订版1.2月/ 2009）
表1.Ordering信息
时钟
数据速率套餐
频率
EM6AA160TSA - 4G的250MHz 500Mbps的/引脚TSOPII
EM6AA160TSA - 5G的200MHz的400Mbps /引脚TSOPII
产品型号
TS ：表示TSOP II封装
G：表示
无铅和无卤素
答：指代码
16M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ）
图1.引脚分配（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM6AA160 SDRAM是高速CMOS
双倍数据速率包含256兆位同步DRAM 。
它在内部配置为四通道4M ×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
在时钟信号的上升沿， CK） 。数据输出发生
在CK的上升沿边缘，
CK
.D读写
访问到SDRAM是迸发导向;访问开始
在选定的位置，并继续进行编程
在编程顺序位置号。访问
以一个BankActivate命令寄存
，然后接着是读或写命令。该
EM6AA160提供可编程的读或写突发
第2，第4 ，或8，一种自动预充电功能的长度可以是
使能，以提供一个自定时行预充电是
在脉冲串序列的末尾开始。刷新
功能，自动或自刷新易于使用。在
此外， EM6AA160具有可编程的DLL选项。
通过具有可编程的模式寄存器和扩展
模式寄存器，系统可以选择最适合的
模式，以最大限度地发挥其性能。这些设备是
非常适合需要高内存的应用
带宽，导致器件特别适合于高
性能主存储器和图形应用。
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