EtronTech
钰创机密
特点
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快速时钟速率： 200MHz的
差分时钟CK &
CK
双向DQS
DLL使能/禁用EMRS
完全同步操作
管道内部架构
四个内部银行8M ×16位的每家银行
可编程的模式和扩展模式寄存器
- CAS延迟： 2 ， 2.5 ， 3
- 突发长度： 2 ， 4 ， 8
- 突发类型：顺序&交错
•
单个字节写入屏蔽控制
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DM写入延迟= 0
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自动刷新和自刷新
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8192刷新周期/ 64ms的
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预充电&主动断电
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电源： V
DD &
V
DDQ
= 2.5V
±
5%
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接口： SSTL_2 I / O接口
•
包装： 66引脚TSOP II ， 0.65毫米引脚间距
-
铅和卤素
EM6AB160TSA
高级（修订版1.3月/ 2009 ）
表1.Ordering信息
时钟
数据速率套餐
频率
EM6AB160TSA - 5G的200MHz的400Mbps /引脚TSOPII
产品型号
TS ：表示TSOPII封装
答：指代码
G：表示
铅和卤素
32M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ）
图1.引脚分配（顶视图）
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
NC
VDDQ
LDQS
NC
VDD
NC
LDM
WE
CAS
RAS
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
概观
该EM6AB160 SDRAM是高速CMOS双
数据传输速率包含512兆位同步DRAM 。这是
在内部配置为四通道8M ×16的DRAM与
同步接口（所有信号被登记在
在时钟信号的上升沿， CK） 。数据输出出现在
CK的两个上升沿和
CK
.D读取和写入访问
到SDRAM是迸发导向;存取开始以选定
位置和持续的地点设定的号码
在一个编程序列。访问开始时的
一个BankActivate命令的登记，然后跟随
通过读或写命令。该EM6AB160提供
可编程的读或写突发2,4或8的长度
自动预充电功能可被使能，以提供一个自
定时行预充电的脉冲串的末端被启动，它将
序列。刷新功能，自动或自刷新
很容易使用。此外， EM6AB160设有
可编程DLL选项。通过具有可编程的模式
寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择
最适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些
器件非常适用于需要高内存的应用
带宽，导致器件特别适合于高
性能主存储器和图形应用。
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