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EGN21A045IV 参数 Datasheet PDF下载

EGN21A045IV图片预览
型号: EGN21A045IV
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内容描述: 高电压 - 高功率氮化镓HEMT [High Voltage - High Power GaN-HEMT]
分类和应用: 射频微波高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 231 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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Eudyna的GaN -HEMT 45W
初步
特点
高¡
工作电压: V
DS
=50V
高¡
增益: 16分贝(典型值) ,在P
OUT
=39dBm(Avg.)
高¡
效率: 35 % (典型值) ,在P
OUT
=39dBm(Avg.)
·宽
频率范围: 2100至2200MHz
·成熟
可靠性
EGN21A045IV
高电压 - 高功率氮化镓HEMT
描述
该EGN21A045IV是一个45瓦的GaN -HEMT ,提供高效率,
高增益,易于匹配,更大的一致性和广泛的带宽
高功率L波段放大器50V操作。该装置是
针对高电压,在数字调制的低电流工作
基站应用 - 非常适合用于W- CDMA基站
放大器和其他HPA的设计,同时提供了易用性。
绝对最大额定值
符号
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
V
DS
V
GS
P
t
T
英镑
T
ch
条件
推荐运行条件(案例温度Tc = 25
o
C)
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
通道温度
电气特性(案例温度Tc = 25
o
C)
符号条件
捏-O FF电压
栅极 - 漏极击穿电压
三阶互调失真
功率增益
漏EF网络效率
热阻
V
p
V
GDO
IM
3
G
p
η
d
R
th
V
DS
= 50V我
DS
=18mA
I
GS
= - 9.0毫安
V
DS
=50V
I
DS ( DC )
=250mA
P
OUT
=39dBm(Avg.)
注1
渠道情况
r
P
符号
V
DS
I
GF
I
GR
T
ch
im
l
e
条件
R
G
=10
R
G
=10
120
o
T
c
=25 C     
-5
112
-65到+175
250
a
n
i
等级
极限
50
<9.7
>-3.6
200
y
r
单位
V
V
W
o
C
o
C
单位
V
mA
mA
o
C
极限
分钟。典型值。马克斯。
-1.0
-
-
15.0
-
-
-2.0
-350
-32
16.0
35
1.8
-3.5
-
-
-
-
2.0
单位
V
V
dBc的
dB
%
o
C / W
注1 : IM3和增益测试条件如下:
IM3 &增益: FO = 2.135GHz ,F1 = 2.145GHz W- CDMA ( 3GPP3.4 12-00 ) BS- 1 64路
67%的限幅调制(峰值/平均= 8.5dB@0.01%概率( CCDF ) )测定
在3.84MHz的在FO- 10MHz至FI + 10MHz的。
1.0版
2005年6月
1