FHC40LG
超低噪声HEMT
特点
•低噪声系数： 0.3分贝（典型值） @ F = 4GHz的
•高相关的增益： 15.5分贝（典型值） @ F = 4GHz的
•了Lg
≤
0.15μm的中，WG = 280μm
•黄金门金属化的高可靠性
•性价比高陶瓷微带（ SMT ）封装
•磁带和卷轴可用
描述
该FH40LG是一个超级高电子迁移率晶体管
TM
（ SuperHEMT ），用于一般用途，超低噪声和
高增益放大器在2-12GHz的频率范围。该装置是
包装在具有成本效益的，低寄生的，密封的
金属陶瓷封装的高容量电信，星展银行，
TVRO ， VSAT或其它低噪声应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.075毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
条件
等级
3.5
-3.0
单位
V
V
mW
°C
°C
记
290
-65到+175
175
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
相关的增益
热阻
可用表壳款式：
LG
注意：
RF参数LG设备以抽样方式测量如下：
很多数量。
or
to
to
or
样本数量。
125
200
315
500
接受/拒绝
(0,1)
(0,1)
(1,2)
(1,2)
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
RTH
条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ， IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
IGS = -10μA
分钟。
10
45
-0.1
-3.0
极限
典型值。马克斯。
40
65
-1.0
-
0.30
15.5
220
85
-
-2.0
-
0.40
-
300
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
° C / W
-
VDS = 2V ， IDS = 10毫安，
F = 4GHz的
14.0
渠道情况
-
1200
1201
3201
10001
少
3200
10000
过度
1.1版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
