FHX04X ， FHX05X ， FHX06X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
•
•
•
•
低噪声系数： 0.75分贝（典型值） @ F = 12GHz的（ FHX04 ）
关联度高增益： 10.5分贝（典型值） @ F = 12GHz的
Lg
≤
0.25微米中，WG = 200微米
黄金门金属化的高可靠性
描述
该FHX04X ， FHX05X ， FHX06X是高电子迁移率
率晶体管（HEMT ），用于一般用途的，低噪声和高
争取在2-18GHz频率范围内的放大器。该装置是公
适用于电信，星展银行， TVRO ， VSAT或其它低噪声
应用程序。
Eudyna严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
*注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
Eudyna建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。
符号
VDS
VGS
PT *
TSTG
总胆固醇
等级
3.5
-3.0
180
-65到+175
175
单位
V
V
mW
°C
°C
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
FHX04X
相关的增益
噪声系数
FHX05X
相关的增益
噪声系数
FHX06X
相关的增益
最大可用增益
热阻
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
NF
气
NF
气
嘎（最大值）同上，
Gain匹配
RTH
渠道情况
测试条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
IGS = -10μA
分钟。
15
35
-0.2
-3.0
-
9.5
-
9.5
-
9.5
11.0
-
极限
典型值。马克斯。
30
60
45
-
-0.7
-1.5
-
-
0.75 0.85
10.5
-
0.9
1.1
10.5
-
1.1
1.35
10.5
12.0
220
-
-
300
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
° C / W
VDS = 2V
IDS = 10毫安
F = 12GHz的
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
1.3版
2004年10月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
