FHX13X ， FHX14X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
•
•
•
•
低噪声系数： 0.45分贝（典型值） @ F = 12GHz的（ FHX13 ）
关联度高增益： 13.0分贝（典型值） @ F = 12GHz的
Lg
≤
0.15μm的中，WG = 200微米
黄金门金属化的高可靠性
描述
该FHX13X ， FHX14X是超级高电子迁移率晶体管
TM
（ SuperHEMT ），用于一般用途，超低噪声和
高增益放大器在2-18GHz的频率范围。该器件
非常适用于电信，星展银行， TVRO ， VSAT或其他
低噪声应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
*注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05mA分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。
符号
VDS
VGS
PT *
TSTG
总胆固醇
等级
3.5
-3.0
180
-65到+175
175
单位
V
V
mW
°C
°C
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
FHX13X
相关的增益
噪声系数
FHX14X
相关的增益
热阻
气
RTH
渠道情况
气
NF
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
VDS = 2V
IDS = 10毫安
F = 12GHz的
测试条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
IGS = -10μA
分钟。
10
35
-0.1
-3.0
-
11.0
-
11.0
-
极限
典型值。马克斯。
30
50
-0.7
-
0.45
13.0
0.55
13.0
220
60
-
-1.5
-
0.50
-
0.60
-
300
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
dB
dB
° C / W
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
1.2版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
