FHX45X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
•
•
•
•
低噪声系数： 0.55分贝（典型值） @ F = 12GHz的
关联度高增益： 12.0分贝（典型值） @ F = 12GHz的
Lg
≤
0.15μm的中，WG = 280μm
黄金门金属化的高可靠性
门
漏
描述
该FHX45X是一个超级高电子迁移率晶体管
TM
（ SuperHEMT ），用于一般用途，超低噪声和高
争取在2-18GHz频率范围内的放大器。该装置是很好
适用于电信，星展银行， TVRO ， VSAT或其它低噪声
应用程序。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
*注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.1和-0.075毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）不应超过80 ℃。
门
来源
符号
VDS
VGS
PT *
TSTG
总胆固醇
等级
3.5
-3.0
290
-65到+175
175
单位
V
V
mW
°C
°C
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
相关的增益
热阻
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
RTH
条件
VDS = 2V ， VGS = 0V
VDS = 2V ， IDS = 10毫安
VDS = 2V ， IDS = 1毫安
IGS = -10μA
分钟。
10
45
-0.1
-3.0
极限
典型值。马克斯。
40
65
-1.0
-
0.55
12.0
155
85
-
-2.0
-
0.65
-
200
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
° C / W
-
VDS = 2V ， IDS = 10毫安，
F = 12GHz的
10.0
渠道情况
-
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
1.2版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
