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FHX76LP 参数 Datasheet PDF下载

FHX76LP图片预览
型号: FHX76LP
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内容描述: 超低噪声HEMT [Super Low Noise HEMT]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 87 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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FHX76LP
超低噪声HEMT
特点
•低噪声系数: NF = 0.40分贝(典型值) @ F = 12GHz的
•高相关的增益:天然气= 13.5分贝(典型值) @ F = 12GHz的
•高可靠性
•小尺寸表面贴装封装
•磁带和卷轴包装可用
描述
该FHX76LP是一款低噪声SuperHEMT产品专为星展银行
应用程序。本装置采用了经过优化的小陶瓷封装
对于大批量的成本驱动的要求。
Eudyna严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
注意:
安装在氧化铝板( 30 ×30× 0.65毫米)
Eudyna建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDS)应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度( TCH)不应超过80 ℃。
TM
符号
VDS
VGS
Pt
TSTG
总胆固醇
条件
等级
3.5
-3.0
单位
V
V
mW
°C
°C
180
-65到150
150
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
噪声系数
相关的增益
热阻
表壳款式:
LP
注意:
RF参数LP器件以抽样方式测量如下:
很多数量。
or
to
to
or
样本数量。
125
200
315
500
接受/拒绝
(0,1)
(0,1)
(1,2)
(1,2)
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
NF
G
as
RTH
条件
V
DS
= 2V, V
GS
=0V
V
DS
= 2V ,我
DS
=10mA
V
DS
= 2V ,我
DS
=1mA
I
GS
= -10µA
V
DS
= 2V,
I
DS
= 10毫安,
f=12GHz
渠道情况
范围
分钟。典型值。马克斯。
10
35
-0.1
-3.0
-
12.0
-
30
50
-0.7
-
0.40
13.5
300
60
-
-1.5
-
0.50
-
400
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
° C / W
1200
1201
3201
10001
3200
10000
过度
1.1版
2004年8月
1