FLK207MH-14
X， Ku波段功率GaAs FET
特点
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高输出功率： P1dB为32.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 6.0分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 27 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
全封闭金属/陶瓷封装
描述
该FLK207MH - 14是一个功率GaAs FET被设计用于一般
目的应用在Ku波段的频率范围内，因为它提供
出众的功率，增益和效率。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
12.5
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过17.8和-1.0毫安分别与
250Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
功率附加英法fi效率
热阻
类型：
MH
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
添加
RTH
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 500毫安
VDS = 5V ， IDS = 40毫安
IGS = -40μA
VDS = 10V ，
IDS
=
0.6 IDSS （典型值） ，
F = 14.5 GHz的
渠道情况
分钟。
-
-
-1.0
-5
31.5
5.0
-
-
极限
典型值。马克斯。
800
400
-2.0
-
32.5
6.0
27
10
1200
-
-3.5
-
-
-
-
12
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
G.C.P ：增益压缩点
1.1版
1999年8月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
