FLL1200IU-3
L波段高功率GaAs FET
特点
•
•
•
•
•
推挽结构
高功率输出： 120W （典型值）。
高的PAE ：44％ 。
宽广的频率范围： 2400至2500年兆赫。
适合于AB类操作。
描述
该FLL1200IU -3是一个120瓦特砷化镓场效应管，它采用推挽设计
提供易于匹配，更大的一致性和高更广阔的带宽
功率L波段放大器。此产品是有针对性地减小尺寸和
高线性，高功率基站发射放大器的复杂性。
这种新产品是非常适合于无线本地环路（ WLL ）基本用
台放大器，因为它提供高增益，长期可靠性和易用性。
应用
•固态基站功率放大器。
• WLL通信系统。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
187.5
-65到+175
+175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过12伏。
2.正向和反向栅电流不应超过分别156.0毫安和-57.6mA与
10Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出功率
线性增益
漏电流
功率附加英法fi效率
热阻
类型： IU
注1：该装置应在恒定的VGS条件进行测定。
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
P
OUT
GL
I
DSR
η
添加
R
th
条件
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
DS
= 28.8A
V
DS
= 5V ，我
DS
= 2.88A
I
GS
= -2.88mA
V
DS
= 12V
F = 2.5 GHz的
I
DS
= 5.0A
PIN = 41.0dBm
注1
渠道情况
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-
-1.0
-5
49.8
10.0
-
-
-
48
24
-2.0
-
50.8
11.0
20
44
0.6
-
-
-3.5
-
-
-
30
-
0.8
单位
A
S
V
V
DBM
dB
A
%
° C / W
1.4版
1999年12月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
