FLL120MK
L波段中&高功率GaAs FET
特点
•
•
•
•
•
高输出功率： P1dB为40.0dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 10.0分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 40 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
密封包装
描述
该FLL120MK是一个功率GaAs FET ，是专门设计成
在L波段频率的增益，线性度提供高功率和
效率优于硅器件。在性能
多音环境的AB类操作使他们的理想
适用于基站应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
37.5
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过26.8和-5.8毫安分别与
50Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
添加
RTH
渠道情况
VDS = 10V
IDS
=
0.55 IDSS （典型值） ，
F = 2.3GHz的
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 2400毫安
VDS = 5V ， IDS = 240毫安
IGS = -240μA
分钟。
-
-
-1.0
-5
39.5
9.0
-
-
极限
典型值。马克斯。
4000 6000
2000
-2.0
-
40.0
10.0
40
3.3
-
-3.5
-
-
-
-
4.0
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
功率增益1分贝G.C.P.
功率附加英法fi效率
热阻
类型：
MK
G.C.P ：增益压缩点
1.1版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
