FLL200IB -1， FLL200IB -2， FLL200IB -3-
L波段中&高功率GaAs FET
特点
•
•
•
•
•
高输出功率： P1dB为42.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 13.0分贝（典型值） @ 1.8GHz的（ FLL200IB - 1 ）
高PAE ：
η
添加= 34 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
密封包装
描述
该FLL200IB -1， FLL200IB -2， FLL200IB -3的功率GaAs FET的那
专门设计为在L波段频率提供高功率
用增益，线性度和效率优于硅器件。
在多音环境中的AB类操作使得业绩
它们非常适用于基站应用。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
83.3
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过53.6和-11.6毫安分别与
25Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
输出功率
在1分贝G.C.P.
功率增益
在1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加效率
热阻
通道温度上升
类型：
IB
FLL200IB-1
FLL200IB-2
FLL200IB-3
FLL200IB-1
FLL200IB-2
FLL200IB-3
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 4800毫安
VDS = 5V ， IDS = 480毫安
IGS = -480μA
分钟。
-
-
-1.0
-5
极限
典型值。马克斯。
8
12
4000
-2.0
-
42.5
13.0
11.0
11.0
4.8
34
1.6
-
-
-3.5
-
-
-
-
-
6.0
-
1.8
80
单位
A
mS
V
V
DBM
dB
dB
dB
A
%
° C / W
°C
G1dB
IDSR
η
添加
RTH
∆T
ch
f=1.5GHz
F = 2.3GHz的41.5
f=2.6GHz
VDS = 10V
IDS
=
0.6 IDSS F = 1.5GHz的12.0
（典型值）F = 2.3GHz的10.0
F = 2.6GHz的10.0
VDS = 10V
IDS
=
0.6 IDSS （典型值）。
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
-
-
-
-
G.C.P ：增益压缩点
1.1版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
