FLL21E040IK
高电压 - 高功率GaAs FET
输出功率与频率的关系
@V
DS
= 28V ，我
DS
=500mA
输出功率&漏极效率与输入功率
@V
DS
= 28V ，我
DS
= 500毫安F = 2.14GHz时
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
2
2.05
2.1
2.15
2.2
2.25
2.3
频率[ GHz的]
Pin=20dBm
Pin=35dBm
Pin=25dBm
P1dB
Pin=30dBm
48
46
44
42
40
38
36
34
32
30
28
26
101214161820222426283032343638
输入电网[ dBm的]
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
输出功率[ dBm的]
输出功率[ dBm的]
噘
漏EF网络效率
双载波IMD （ ACLR ） &漏极效率与输出功率
@V
DS
= 28V我
DS
= 500毫安FO = 2.1325 ， F1 = 2.1475GHz
W-CDMA的3- GPP的BS- 1 64路调制
-25
-30
-35
35.0
30.0
单载波ACLR &漏极效率与输出功率
@V
DS
= 28V我
DS
= 500毫安FO = 2.1325GHz
W- CDMA 3GPP BS- 1 64路调制
-25
-30
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
输出电网[ dBm的]
+/-5MHz
+/-10MHz
漏EF网络效率
ALCR [ dBc的]
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
0.0
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42
输出电网[ dBm的]
IM3
IM5
漏EF网络效率
漏极效率（％）
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-40
-45
-50
-55
-60
2
漏极效率（％）
IMD [ dBc的]
漏极效率（％）
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
