FLL410IK-3C
L波段高功率GaAs FET
特点
高¡
输出功率：噘= 46.0dBm （典型值）
高¡
增益： GL = 13.0分贝（典型值）
高¡
PAE ：
ηadd=52%(Typ.)
·宽
频段： 2.5 〜 2.7GHz的
·气密
密封包装
描述
该FLL410IK -3C是一个部分匹配的40瓦特的GaAs场效应晶体管是
设计用于使用2.5 - 2.7 GHz频带放大器。这种新产品
是唯一适合用于MMDS应用，因为它提供了极好的
线性度，高效率，高增益，长期可靠性和易用性。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（外壳温度Tc = 25
o
C)
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
PT
T
英镑
T
ch
等级
15
-5
100
-65到+175
175
o
单位
V
V
W
C
C
o
RECOMMENNDED工作条件（案例温度Tc = 25
o
C)
项
直流输入电压
栅电流
栅电流
工作通道温度
符号
V
DS
I
GF
I
GR
总胆固醇
R
G
=5
Ω
R
G
=5
Ω
条件
极限
≤12
≤88
≥-25
≤145
单位
V
mA
mA
o
C
电气特性（案例温度Tc = 25
o
C)
项
漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
符号
I
DSS
V
p
V
GSO
P
OUT
G
L
I
DSR
η
添加
R
th
测试条件
V
DS
=5V, V
GS
=0V
V
DS
= 5V ，我
DS
=110mA
I
GS
=-1.1mA
V
DS
=12V
F = 2.6 GHz的
I
DS
=3A
Pin=35.0dBm
渠道情况
分钟。
-
-0.1
-5.0
45.0
12.0
-
-
-
极限
典型值。
4.0
-0.3
-
46.0
13.0
5.9
52
1.3
马克斯。
-
-0.5
-
-
-
7.6
-
1.5
单位
A
V
V
DBM
dB
A
%
o
输出功率
线性增益* 1
漏电流
功率附加英法fi效率
热阻
C / W
* 1 ： GL的测量是在引脚= 22.0dBm
ESD
类
Ⅲ
2000V ~
类型： IK
注：根据EIAJ ED- 4701 C- 111A （ C = 100pF的， R = 1.5K
Ω
)
1.1版
2003年10月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
