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FLL600IQ-3 参数 Datasheet PDF下载

FLL600IQ-3图片预览
型号: FLL600IQ-3
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内容描述: L波段中等和高功率GaAs FET [L-Band Medium & High Power GaAs FET]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 107 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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FLL600IQ-3
L波段中&高功率GaAs FET
特点
推挽结构
高功率输出: 60W
高PAE 43% 。
宽广的频率范围: 2000至2700年兆赫。
适合于AB类操作。
描述
该FLL600IQ -3是一个60瓦的砷化镓场效应管,它采用推挽式设计
提供易于匹配,更大的一致性和高更广阔的带宽
功率L波段放大器。此产品是有针对性地减小尺寸和复杂性
高线性,高功率基站发射放大器。这种新产品
特别适合于WLL和MMDS基站放大器的使用,因为它提供了高
增益,长期可靠性和易用性。
富士通的严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
125
-65到+175
+175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDS)不应超过12伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过78和-32毫安分别与
25Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度( TCH)应不超过145 ℃。
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
热阻
类型:智商
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
I
DSR
η
添加
R
th
渠道情况
V
DS
= 12V
F = 2.7 GHz的
I
DS
= 4.0A
条件
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V ,我
DS
= 14.4A
V
DS
= 5V ,我
DS
= 1.44A
I
GS
= -1.44mA
分钟。
-
-
-1.0
-5
47.0
9.0
-
-
-
范围
典型值。马克斯。
24
12
-2.0
-
48.0
10.0
11.0
43
0.8
32
-
-3.5
-
-
-
15.0
-
1.2
单位
A
S
V
V
DBM
dB
A
%
° C / W
G.C.P :增益压缩点
1.7版
1999年12月
1