FLM0910-8F
X, Ku波段内部匹配型场效应管
特点
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高输出功率: P1dB为39.0dBm = (典型值)
高增益: G1dB = 7.5分贝(典型值)
高PAE :
η
添加= 29 % (典型值)。
低IM3 = -46dBc @宝= 28.5dBm
宽带: 9.5 〜 10.5GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
描述
该FLM0910-8F是功率GaAs FET的内部匹配的
标准的通信频带,以提供最佳的功率和增益的
50欧姆系统。
Eudyna严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
42.8
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDS)不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过32.0和-4.4毫安分别与
100Ω的栅极电阻。
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
三阶互调
失真
热阻
通道温度上升
类型: IB
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
IDSR
η
添加
∆G
IM3
RTH
∆T
ch
F = 10.5 GHz的,
∆f
= 10 MHz的
2音测试
噘嘴= 28.5dBm S.C.L.
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
VDS = 10V ,
IDS = 0.65 IDSS (典型值) ,
F = 9.5 〜 10.5 GHz的,
ZS = ZL = 50欧姆
测试条件
VDS = 5V , VGS = 0V
VDS = 5V , IDS = 2200毫安
VDS = 5V , IDS = 170毫安
IGS = -170μA
分钟。
-
-
-0.5
-5.0
38.5
6.5
-
-
-
-44
-
-
极限
典型值。马克斯。
3400 5200
-
3400
-1.5
-
39.0
7.5
29
-
-46
3.0
-
-3.0
-
-
-
-
±0.6
-
3.5
80
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
mA
%
dB
dBc的
° C / W
°C
2200 2600
GCP :增益压缩点, SCL :单载波水平
1.2版
1999年8月
1