FLM1415-3F
在内部匹配功率GaAs FET
特点
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高输出功率： P1dB为34.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 5.5分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 23 ％ （典型值）。
低IM3 = -46dBc @宝=为23.5dBm （典型值）。
宽带： 14.5 〜 15.3GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
密封式
描述
该FLM1415-3F是功率GaAs FET的内部匹配的
标准的通信频带，以提供最佳的功率和增益的
50欧姆系统。
Eudyna严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
25
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过13.0和-1.4毫安分别与
100Ω的栅极电阻。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
三阶互调
失真
热阻
通道温度上升
类型： IA
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
IDSR
η
添加
∆
G
IM3
RTH
∆T
ch
F = 15.3GHz ，
∆f
= 10MHz时
2音测试
噘嘴= S.C.L.为23.5dBm
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
VDS = 10V ，
IDS
=
0.6 IDSS （典型值） ，
F = 14.5 〜 15.3 GHz的，
ZS = ZL = 50Ω
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 900毫安
VDS = 5V ， IDS = 70毫安
IGS = -70μA
分钟。
-
-
-0.5
-5.0
33.5
5.0
-
-
-
-42
-
-
极限
典型值。马克斯。
1400
1400
-1.5
-
34.5
5.5
900
23
-
-45
5.0
-
2100
-
-3.0
-
-
-
1100
-
±0.6
-
6.0
66
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
mA
%
dB
dBc的
° C / W
°C
GCP ：增益压缩点， SCL ：单载波水平
1.4版
2004年8月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
