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FLM5359-4F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FLM5359-4F
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内容描述: C波段内部匹配型场效应管 [C-Band Internally Matched FET]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 258 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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FLM5359-4F
C波段内部匹配型场效应管
特点
高输出功率: P1dB为36.5dBm = (典型值)
高增益: G1dB = 10.5分贝(典型值)
高PAE :
η
添加= 37 % (典型值)。
低IM3 = -46dBc @宝= 25.5dBm
宽带: 5.3 〜 5.9GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
密封包装
描述
该FLM5359-4F是功率GaAs FET的内部匹配的
标准的通信频带,以提供最佳的功率和增益的
50欧姆系统。
Eudyna严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
25.0
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDS)不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过16.0和-2.2毫安分别与
100Ω的栅极电阻。
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
饱和漏极电流
捏-O FF电压
门源击穿电压
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
三阶互调
失真
热阻
通道温度上升
类型:
IB
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
IDSR
η
添加
∆G
IM3
RTH
∆T
ch
测试条件
VDS = 5V , VGS = 0V
VDS = 5V , IDS = 1100毫安
VDS = 5V , IDS = 90毫安
IGS = -90μA
分钟。
-
-
-1.0
-5.0
35.5
9.5
VDS = 10V ,
IDS
=
0.55 IDSS (典型值) ,
F = 5.3 〜 5.9 GHz的,
ZS = ZL = 50欧姆
F = 5.9千兆赫,
∆f
= 10 MHz的
2音测试
噘嘴= 25.5dBm S.C.L.
渠道情况
10V X IDSR X的Rth
-
-
-
-44
-
-
极限
典型值。马克斯。
1950 2900
-
1000
-2.0
-
36.5
10.5
-3.5
-
-
-
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
mA
%
dB
dBc的
° C / W
°C
1100 1300
37
-
-46
5.0
-
-
±0.6
-
6.0
80
GCP :增益压缩点, SCL :单载波水平
1.3版
2004年8月
1