FLM7785-45F
C波段内部匹配型场效应管
特点
高¡
输出功率： P1dB为46.5dBm = （典型值）
高¡
增益： G1dB = 7.0分贝（典型值）
高¡
PAE ：
ηadd=32.5%(Typ.)
·宽
频段： 7.7 〜 8.5GHz
·阻抗
匹配的寻/ ZOUT = 50Ω
·气密
密封包装
描述
该FLM7785-45F是功率GaAs FET的内部匹配
为标准的通信频带，以提供最佳的功率和
获得在50Ω系统。
绝对最大额定值（外壳温度Tc = 25
O
C)
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
等级
15
-5
115
-65到+175
175
单位
V
V
W
O
C
C
O
推荐工作COMDITION （案例温度Tc = 25
O
C)
项
直流输入电压
正向栅电流
反向栅电流
符号
V
DS
I
GF
I
GR
R
G
=10Ω
R
G
=10Ω
条件
极限
单位
V
mA
mA
≤
10
≤
52
≥
-23.2
电气特性（案例温度Tc = 25
O
C)
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿电压
符号
I
DSS
g
m
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
I
DSR
η
添加
∆G
R
th
∆T
ch
测试条件
V
DS
=5V, V
GS
=0V
V
DS
= 5V ，我
DS
=8.0A
V
DS
= 5V ，我
DS
=960mA
I
GS
=-960uA
V
DS
=10V
F = 7.7 - 8.5 GHz的
I
DS
(DC)=8.0A(typ.)
ZS = Z
L
=50Ω
分钟。
-
-
-0.5
-5.0
46.0
6.0
-
-
-
-
-
极限
典型值。
24
16
-1.5
-
46.5
7.0
11
32.5
-
1.1
-
马克斯。
-
-
-3.0
-
-
-
13
-
1.6
1.3
100
单位
A
S
V
V
DBM
dB
A
%
dB
O
在1分贝G.C.P.输出功率
功率增益1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
增益平坦度
热阻
通道温度上升
渠道情况
10V X标识（ DC ）× Rth的
C / W
O
C
类型： IK
ESD
类
III
2000V ~
G.C.P. ：增益压缩点
注：根据EIAJ ED- 4701 C- 111A （ C = 100pF的， R = 1.5kΩ上）
1.3版
2004年9月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
