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FLU17XM 参数 Datasheet PDF下载

FLU17XM图片预览
型号: FLU17XM
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内容描述: L波段中等和高功率GaAs FET [L-Band Medium & High Power GaAs FET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 82 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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FLU17XM
L波段中&高功率GaAs FET
特点
•高输出功率: P1dB为32.5dBm = (典型值)
•高增益: G1dB = 13.5分贝(典型值)
•高PAE :
η
添加= 46 % (典型值)。
•密封金属/陶瓷( SMT )封装
•磁带和卷轴可用
描述
该FLU17XM是一个砷化镓场效应管设计用于在基站中的应用程序
PCN / PCS频率范围。这是使用表面上的新产品系列
安装包进行了优化,为大批量的成本驱动的应用程序。
富士通的严格的质量保证计划,保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
PT
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
7.5
-65到+175
+175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏 - 源极的工作电压( VDS )不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过9.6和-1.0毫安分别与
200Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度( TCH)应不超过145 ℃。
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
功率附加效率
热阻
类型:
XM
注: RF参数由抽验了大量的基础测量
以AQL = 0.1 %的Level- II检查。任何失败的很多,应100 %复检。
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
η
添加
R
th
条件
V
DS
= 5V, V
GS
=0V
V
DS
= 5V ,我
DS
=400mA
V
DS
= 5V ,我
DS
=30mA
I
GS
= -30µA
V
DS
= 10V
F = 2.0 GHz的
I
DS
=0.6I
DSS
渠道情况
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-
-1.0
-5
31.5
12.5
-
-
600
300
-2.0
-
32.5
13.5
46
15
900
-
-3.5
-
-
-
-
20
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
G.C.P :增益压缩点
1.2版
1999年7月
1