FLX257XV
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
•
•
•
•
高输出功率： P1dB为33.5dBm = （典型值）
高增益： G1dB = 7.5分贝（典型值）
高PAE ：
η
添加= 31 ％ （典型值）。
久经考验的可靠性
95
40
（单位：
µm)
描述
该FLX257XV芯片是功率GaAs FET是
专为通用应用程序在X波段
的频率范围内，因为它提供了优良的功率，增益和
EF网络效率。
Eudyna严格的质量保证计划，保证了
最高的可靠性和性能一致。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
条件
等级
15
-5
TC = 25°C
15.0
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
门
门
门
Eudyna建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过17.8和-1.2毫安分别与
200Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
输出功率在1分贝
增益压缩点
功率增益为1分贝
增益压缩点
功率附加英法fi效率
热阻
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
添加
RTH
渠道情况
VDS = 10V
IDS
≈
0.6IDSS
F = 10GHz的
测试条件
VDS = 5V ， VGS = 0V
VDS = 5V ， IDS = 600毫安
VDS = 5V ， IDS = 50毫安
IGS = -50μA
分钟。
-
-
-1.0
-5
32.5
6.5
-
-
极限
典型值。马克斯。
1000
600
-2.0
-
33.5
7.5
31
8
1500
-
-3.5
-
-
-
-
10
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
%
° C / W
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
1.4版
2004年10月
1
56
40
漏
漏
漏
漏
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
