FSU02LG
通用砷化镓场效应管
特点
•高输出功率： P1dB为23.0dBm = （典型值） @ 2GHz的
•高相关的增益： G1dB = 17.0分贝（典型值） @ 2GHz的
•低噪声系数：
NF = 1.5分贝（典型值） @ F = 2GHz的
•低偏置条件： VDS = 3V ， 20毫安
•成本有效的密封包装微带
•磁带和卷轴可用
描述
该FSU02LG是一款高性能，低噪音，砷化镓场效应管设计
PCS / PCN应用如在2GHz的频带中的驱动程序。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
注意：
安装在氧化铝板（ 30 ×30× 0.65毫米）
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）应不超过6伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过1.4和-0.2毫安分别与
2000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
条件
等级
12
-5
单位
V
V
mW
°C
°C
记
750
-65到+175
175
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
输出功率在1分贝
增益压缩点
功率增益为1分贝
增益压缩点
噪声系数
相关的增益
热阻
可用表壳款式：
LG
注： RF参数由抽验了大量的基础测量
以AQL = 0.1 ％的Level- II检查。任何失败的很多，应100 ％复检。
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
NF
气
RTH
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 54毫安
VDS = 3V ， IDS = 5.4毫安
IGS = -5.4μA
VDS = 6V
IDS （ DC ）
=
80mA
F = 2GHz的
VDS = 3V
IDS
=
20mA
F = 2GHz的
渠道情况
分钟。
80
-
-0.7
-5
22.0
16.0
-
-
-
极限
典型值。马克斯。
110
150
100
-
-1.2
-
23.0
17.0
1.5
17.5
150
-1.7
-
-
-
-
-
200
单位
mA
mS
V
V
DBM
dB
dB
dB
° C / W
G.C.P ：增益压缩点
1.2版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
