FSX017X
砷化镓场效应管& HEMT芯片
特点
•中等输出功率： P1dB=21.5dBm(Typ.)@8.0GHz
•高功率增益： G1dB=11dB(Typ.)@8.0GHz
•经过验证的可靠性
漏
描述
该FSX017X是通用砷化镓场效应管专为中
电源应用高达12GHz的。这些器件具有宽的动态
范围和适用于中等功率，宽频带，线性驱动器使用
放大器或振荡器。
富士通的严格的质量保证计划，保证最高
可靠性和一致的性能。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
VDS
VGS
P合计
TSTG
总胆固醇
TC = 25°C
条件
来源
来源
门
等级
12
-5
1.0
-65到+175
175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏 - 源极的工作电压（ VDS ）不得超过8伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.7和-0.1毫安分别与
2000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
相关的增益
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
气
测试条件
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， IDS = 27毫安
VDS = 3V ， IDS = 2.7毫安
IGS = -2.7μA
VDS = 3V ， IDS = 10毫安
F = 8GHz的
分钟。
35
-
-0.7
-5.0
-
-
极限
典型值。马克斯。
55
75
50
-1.2
-
2.5
10.5
21.5
21.5
20.5
15.0
11.0
7.5
120
-
-1.7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
° C / W
输出功率1分贝G.C.P.
P1dB
F = 4GHz的
-
VDS = 8V ，
F = 8GHz的20.5
IDS = 0.7 IDSS
F = 12GHz的
-
F = 4GHz的
-
VDS = 8V ，
F = 8GHz的10.0
IDS = 0.7 IDSS
F = 12GHz的
-
渠道情况
-
功率增益为1分贝G.C.P.
热阻
G1dB
RTH
注意：
RF参数的样本量10件。标准（接受/拒绝） = （2/3）
该芯片必须用最佳的性能和可靠性的密封环境。
G.C.P ：增益压缩点
1.2版
1999年7月
1
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
