欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

KP023J 参数 Datasheet PDF下载

KP023J图片预览
型号: KP023J
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 800mW的功率砷化镓场效应管(无铅型) [800mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 846 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
 浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第8页浏览型号KP023J的Datasheet PDF文件第9页  
P0120003P
800mW的功率砷化镓场效应管(无铅型)
■特点
·高达2.7 GHz频段
·超越+27 dBm的输出功率
·高达+ 43dBm输出IP3
•高漏极效率
· 12分贝增益为2.1GHz
· SOT- 89表面贴装封装
•低噪声系数
PIN号
1
2, 4
3
技术说明
住友电工
●功能
功能
输入/门
输出/漏极
4
1
器件
2
3
集装箱
7 “卷轴
防静电
“订购
信息
部件号
P0120003P
KP023J
描述
砷化镓功率FET
2.11-2.17GHz
应用电路
1000
1
■应用
·无线通信系统
·蜂窝, PCS , PHS , W- CDMA ,WLAN
°说明
P0120003P是一种高性能的GaAs MESFET的收纳在
一个低成本的SOT- 89封装。我们最初开发
"pulse - doped"渠道结构,实现了低失真,
这导致高IP3 。的信道结构还实现了
极低的噪声系数。关于脉冲掺杂细节
FET沟道在我们的产品目录中描述。
金锡的利用芯片粘接实现了一个低而稳定
热阻。
在引线框架上镀有锡铋以
使器件无铅的。
SEI的悠久制造历史,培养高
器件的可靠性。 FET的估计的平均无故障时间较长
比15年在150℃ TJ 。你可以看到在细节
可靠性和质量保证。
“绝对
最大额定值( @ T C = 25 ° C)
参数
符号
价值
单位
漏源电压
VDS
8
V
栅源电压
VGS
-4
V
漏电流
IDS
IDSS
---
RF输入功率
20
(*)
DBM
(连续)
功耗
Pt
2.2
W
结温
Tj
125
°C
储存温度
TSTG
- 40〜 + 125
°C
TC :外壳温度。操作设备超过这些
值可能会造成永久性的损害。
( * )测量为2.1GHz与我们的测试夹具相匹配的OIP3 。
ⅵELECTRICAL
产品规格( @ T = 25 ° C)
参数
DC
饱和漏极电流
夹断电压
栅源击穿电压
热阻
RF
频率
输出功率
@ 1分贝增益压缩
小信号增益
输出IP3
功率附加效率
符号
IDSS
gm
Vp
|Vgs0|
RTH
f
P1dB
G
OIP3
η
添加
Vds=6V
Ids=220mA
f=2.1GHz
29
12
---
---
43
56
测试条件
VDS = 3V , V G = 0V
VDS = 6V ,IDS = 300毫安
VDS = 6V ,IDS = 30毫安
IGSO = - 30μA
通道案例
分钟。
---
250
- 3.0
3.0
---
典型值。
---
---
---
---
---
马克斯。
850
---
- 1.7
---
45
2.7
---
---
---
---
单位
mA
mS
V
V
° C / W
GHz的
DBM
dB
DBM
%
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-1-