P0120003P
800mW的功率砷化镓场效应管(无铅型)
[典型性能]
KP023J应用电路
VDS = 6V , IDS = 220毫安,TC = 25°C
频率特性测量与功率输出, 17dBm的。
噘嘴,增益, IP3 , IDS VS引脚
45
40
35
的Pout ( dBm的)
增益(dB )
IP3 ( dBm的)
30
25
20
15
10
-1
1
3
噘
收益
5
7
9
IDS
IP3
215
210
205
IM3 ( DBC)
IM5 ( DBC)
IDS (毫安)
200
195
190
185
180
11
技术说明
住友电工
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
10
12
IM3 , IM5 VS噘
IM3
IM5
14
16
18
20
22
PIN ( DBM)
IP3 VS FRE昆西
Vds=6V
Vds=5V
IP3 ( dBm的)
42.0
41.5
41.0
40.5
40.0
39.5
39.0
38.5
2120
2140
2160
2180
38.0
2100
的Pout ( dBm的)
IP3 VS FRE昆西
43
42
41
IP3 ( dBm的)
40
39
38
37
36
35
2100
Ids=220mA
Ids=190mA
Vds=4V
Ids=160mA
2120
2140
2160
2180
FRE昆西(兆赫)
11.6
11.4
11.2
11.0
10.8
10.6
10.4
2100
2120
2140
2160
2180
Vds=4V
增益(dB )
增益VS FRE昆西
Vds=6V
Vds=5V
增益(dB )
11.4
11.3
11.2
11.1
11.0
2100
11.5
FRE昆西(兆赫)
增益VS FRE昆西
Ids=220mA
Ids=190mA
Ids=160mA
2120
2140
2160
2180
FRE昆西(兆赫)
FRE昆西(兆赫)
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-8-