P0120009P
2W砷化镓功率场效应管(无铅型)
● NF
特征
Ids=400mA
1.0
0.8
技术说明
住友电工
Ids=350mA
1.0
0.8
Ids=300mA
2.0
0.6
0.8
2.0
0.6
0.6
1.0
10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0
0
1.43
-0
.4
1.93
.0
1.36
-0
.4
1.86
.0
-2
1.34
-0
.4
1.84
-0.
6
-0.8
-2
-0.8
-0.6
-0.6
-1.0
-0.8
-1.0
[注意事项]
为史密斯圆图的数据,测定在2GHz和25℃的Tc频率。
Vds=8V
频率。
(千兆赫)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
NFmin
( dB)的
0.23
0.34
0.57
0.71
0.95
0.95
1.10
1.24
1.43
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.34
-64.4
0.28
-6.2
0.26
48.8
0.35
92.7
0.41
128.6
0.51
153.6
0.55
-178.1
0.58
-152.3
0.61
-124.6
Rn/50
0.08
0.11
0.14
0.13
0.10
0.06
0.04
0.08
0.20
Vds=8V
频率。
(千兆赫)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
NFmin
( dB)的
0.22
0.33
0.52
0.67
0.96
0.90
1.04
1.17
1.36
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.33
-73.8
0.25
-11.0
0.21
46.0
0.33
89.9
0.36
129.2
0.48
153.1
0.52
-179.2
0.57
-153.2
0.58
-124.8
Rn/50
0.06
0.10
0.12
0.12
0.10
0.06
0.04
0.07
0.18
Ids=400mA
相关
增益( dB)的
21.8
19.4
17.7
16.6
15.6
14.9
14.1
13.4
12.9
Ids=350mA
相关
增益( dB)的
21.3
19.2
17.4
16.4
15.3
14.7
13.9
13.3
12.7
Vds=8V
频率。
(千兆赫)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
NFmin
( dB)的
0.15
0.26
0.48
0.62
0.84
0.84
0.95
1.08
1.34
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.33
-77.9
0.26
-17.4
0.19
39.7
0.30
86.8
0.34
126.2
0.45
151.0
0.50
179.4
0.54
-154.0
0.55
-123.9
Rn/50
0.06
0.09
0.12
0.11
0.10
0.06
0.04
0.06
0.17
Ids=300mA
相关
增益( dB)的
21.1
19.0
17.1
16.1
15.1
14.4
13.7
13.1
12.5
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
NF( dB)的
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.5
1.0
1.5
频率(GHz )
2.0
2.5
-1.0
Ids=400mA
Ids=350mA
Ids=300mA
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-6-
-2
.0
-3
3.0
0
- .0
-4.0
-5.0
.
-3
3.0
0
- .0
-4.0
-5.0
.
-3
3.0
0
- .0
-4.0
-5.0
.
-0.2
-0.2
-0.2
-10.0
0.0
10.0
10.0
10.0
0.2
2
-10.0
0.0
0.2
2
3.0
4.0
5.0
3.0
4.0
5.0
2.0
0.
4
0.
4
-10.0
0.0
0.
4
3.0
4.0
5.0
10.0
0.2
2