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型号: P0120007P
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内容描述: 250mW的功率砷化镓场效应管(无铅型) [250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 779 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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P0120007P
250mW的功率砷化镓场效应管(无铅型)
[典型性能]
KP027J应用电路
VDS = 8V , IDS = 100mA时锝= 25°C
频率特性测量与功率输出, 13dBm的。
45
40
35
的Pout ( dBm的)
增益(dB )
IP3 ( dBm的)
30
25
20
15
10
5
-10 -8
收益
IDS
噘嘴,增益, IP3 , IDS VS引脚
IP3
110
105
100
IM3 ( DBC)
IM5 ( DBC)
95
90
85
80
75
-6
-4
-2
0
2
4
70
IDS (毫安)
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
6
8
10
IM3
技术说明
住友电工
IM3 , IM5 VS噘
IM5
12
14
16
18
20
PIN ( DBM)
38.6
38.4
38.2
IP3 ( dBm的)
38.0
37.8
37.6
37.4
37.2
2100
Vds=7V
Vds=6V
2120
2140
2160
2180
IP3 ( dBm的)
IP3 VS FRE昆西
Vds=8V
的Pout ( dBm的)
IP3 VS FRE昆西
39
38
37
36
35
34
33
32
31
2100
Ids=100mA
Ids=80mA
Ids=60mA
FRE昆西(兆赫)
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
2100
2120
2140
2160
2180
增益VS FRE昆西
Vds=6V
Vds=7V
Vds=8V
增益(dB )
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
2100
2120
2140
2160
FRE昆西(兆赫)
增益VS FRE昆西
Ids=80mA
Ids=100mA
2180
增益(dB )
Ids=60mA
2120
2140
2160
2180
FRE昆西(兆赫)
FRE昆西(兆赫)
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
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