P0120009P
2W砷化镓功率场效应管（无铅型）
■特点
·高达2.7 GHz频段
·超越+31 dBm的输出功率
·高达+ 48dBm输出IP3
•高漏极效率
· 11分贝增益为2.1GHz
· SOT- 89表面贴装封装
•低噪声系数
PIN号
1
2, 4
3
技术说明
住友电工
●功能
图
功能
输入/门
地
输出/漏极
4
1
数
器件
2
3
集装箱
7 “卷轴
防静电
袋
“订购
信息
部件号
P0120009P
KP029J
描述
砷化镓功率FET
2.11-2.17GHz
应用电路
1000
1
■应用
·无线通信系统
·蜂窝， PCS ， PHS ， W- CDMA ，WLAN
°说明
P0120009P是一种高性能的GaAs MESFET的收纳在
一个低成本的SOT- 89封装。我们最初开发
"pulse - doped"渠道结构，实现了低失真，
这导致高IP3 。的信道结构还实现了
极低的噪声系数。关于脉冲掺杂细节
FET沟道在我们的产品目录中描述。
金锡的利用芯片粘接实现了一个低而稳定
热阻。
在引线框架上镀有锡铋以
使器件无铅的。
SEI的悠久制造历史，培养高
器件的可靠性。 FET的估计的平均无故障时间较长
比15年在150℃ TJ 。你可以看到在细节
可靠性和质量保证。
“绝对
最大额定值（ @ T C = 25 ° C）
参数
符号
价值
单位
漏源电压
VDS
10
V
栅源电压
VGS
-4
V
漏电流
IDS
IDSS
---
RF输入功率
针
23
(*)
DBM
（连续）
功耗
Pt
5.43
W
(**)
结温
Tj
150
°C
储存温度
TSTG
- 40 〜+ 150
°C
TC ：外壳温度。操作设备超过这些
值可能会造成永久性的损害。
（ * ）测量为2.1GHz与我们的测试夹具匹配IP3 。
（ ** ）推荐TJ下运行低于125°C 。
值
典型值。
---
---
---
---
---
33
Vds=8V
Ids=400mA
f=2.1GHz
11
---
---
48
57
ⅵELECTRICAL
产品规格（ @ T = 25 ° C）
参数
DC
饱和漏极电流
跨
夹断电压
栅源击穿电压
RF
热阻
频率
输出功率
@ 1分贝增益压缩
小信号增益
输出IP3
功率附加效率
符号
IDSS
gm
Vp
|Vgs0|
RTH
f
P1dB
G
IP3
η
添加
测试条件
VDS = 3V ， V G = 0V
VDS = 8V ，IDS = 400毫安
VDS = 8V ，IDS = 50毫安
IGSO = - 50μA
通道案例
分钟。
---
450
- 3.0
3.0
---
马克斯。
1400
---
- 1.7
---
22
2.7
---
---
---
---
单位
mA
mS
V
V
° C / W
GHz的
DBM
dB
DBM
%
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
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电话： + 81-45-853-7263传真： + 81-45-853-1291
电子信箱：
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站：
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-1-
EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
