Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM300GAL120DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t)
1
0,1
Z
thJC
[K / W]
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
i
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
1
22,27
0,006
34,12
0,006
2
16,95
0,029
50,84
0,035
3
10,76
0,043
26,33
0,033
4
0,02
1,014
13,71
0,997
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
700
600
500
V
GE
= 15V, R
g
= 3,3 Ohm, T
vj
= 125°C
I
C
[A]
400
300
200
100
0
0
IC,Modul
IC,Chip
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
7(8)
Seriendatenblatt_BSM300GAL120DLC.xls
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
