Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM50GD120DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t)
1
0,1
Z
thJC
[K / W]
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
i
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
1
68,32
0,009
41,46
0,003
2
229,97
0,045
305,3
0,022
3
18,25
0,073
271,51
0,064
4
33,46
0,229
81,73
0,344
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
120
V
GE
= 15V, R
g
= 15 Ohm, T
vj
= 125°C
100
80
I
C
[A]
IC,Modul
60
IC,Chip
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
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Seriendatenblatt_BSM50GD120DLC.xls