Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FB20R06KL4
Vorläufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
T
vj
=25°C
T
C
=80°C
T
C
=80°C
t
P
= 10 ms, T
vj
=
t
P
= 10 ms, T
vj
=
25°C
25°C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSmax
I
FSM
I t
2
800
58
96
448
358
1000
642
V
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
2
I t - value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
F
I
FRM
2
I t
T
vj
=25°C
T
C
= 65°C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25°C
T
C
=65°C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
600
20
25
40
80
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
20
40
62
A
A
A
2
s
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
date of publication: 2002-02-27
revision: 5
1(11)
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
