Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP40R12KE3G
Vorläufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I t - value
2
V
RRM
I
RMSmax
T
C
= 80°C
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
t
P
= 10 ms,
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 150°C
I
d
I
FSM
I t
2
1600
t.b.d.
40
315
260
500
340
V
A
A
A
A
As
2
As
2
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
Tc = 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25°C
T
C
= 80 °C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
40
55
80
200
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
Tc = 80 °C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
F
I
FRM
I
2
t
40
80
320
A
A
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
Tc = 80 °C
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Hornkamp
t
P
= 1 ms
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
1200
40
55
80
200
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
I
F
I
FRM
15
30
A
A
date of publication:06.03.2001
revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls