Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
t
p
= 1ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min
T
vj
= 25°C
T
c
= 55°C
T
c
= 25°C
t
p
= 1ms, T
c
= 55°C
T
c
= 25°C, Transistor
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
I
F
I
FRM
I²t
V
ISOL
600
50
55
100
V
A
A
A
202
W
+20
V
50
A
100
A
630
A²s
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C, I
C
= I
C,nom
V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C, I
C
= I
C,nom
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C, I
C
= 1mA
V
GE
= -15V...+15V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
f= 1MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
V
CEsat
V
GE(th)
Q
G
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
min.
-
-
4,5
typ.
1,95
2,20
5,5
max.
2,55
-
6,5
V
V
V
-
-
-
0,3
-
-
-
µC
2,2
nF
0,2
nF
-
-
5
mA
-
-
400
nA
prepared by: P. Kanschat
approved: R. Keggenhoff
date of publication: 2002-11-25
revision: 2.1
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EUPEC [ EUPEC GMBH ]
