Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1600R17KE3_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
AlSiC
AlN
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,2
32,2
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,1
19,1
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
8,00
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
12
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,19
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter / inverter
Wechselrichter / inverter
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
M
4,25
-
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube / screw M4
terminal connection torque
1,8
8,0
-
-
Schraube / screw M8
10
Nm
Gewicht
weight
G
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2004-3-11
revision: 2.1
approved by: Christoph Lübke
3