欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

TTW3C115N16 参数 Datasheet PDF下载

TTW3C115N16图片预览
型号: TTW3C115N16
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 相位控制晶闸管模块 [Phase Control Thyristor Module]
分类和应用: 栅极局域网
文件页数/大小: 10 页 / 309 K
品牌: EUPEC [ EUPEC GMBH ]
 浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TTW3C115N16的Datasheet PDF文件第9页  
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 115 N 16 (ISOPACK)
N
W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40°C...T
vj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS on-state current (per chip)
Effektivstrom (pro Phase)
RMS current (per arm)
T
C
= 85°C
T
C
= 73°C
T
A
= 45°C, KM 11
T
A
= 45°C, KM 33
T
vj
= - 40°C...T
vj max
Datenblatt gilt auch für TDW3H115N16
Datasheet also valid for TDW3H115N16
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
RMS
1600
1600
1700
100
115
141
38
55
97
115
1000
870
5000
3780
120
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A²s
A²s
A/µs
T
vj
= + 25°C...T
vj max
T
A
= 35°C, KM 14 (V
L
= 45l/s)
T
A
= 35°C, KM 33 (V
L
= 90l/s)
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
I
TSM
I²t
(di/dt)
cr
(dv/dt)
cr
1000
V/µs
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 150A
v
T
V
(T0)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
max.
1,81
0,95
4,3
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
µs
T
vj
= T
vj max
T
vj
=T
vj max
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
150
2,5
5,0
2,5
0,2
200
600
10
1,2
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
A
= 5Ω
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V, R
GK
20Ω
i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs, t
g
= 10µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/µs
BIP PPE 4
rev.2
25. Okt 05
A
11/05
Seite/page 1(9)